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【2h】

Optimization of the Radiation Hardness of Silicon Pixel Sensors for High X-ray Doses using TCAD Simulations

机译：用TCaD模拟优化高X射线剂量硅像素传感器的辐射硬度

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J. Schw; E. Fretwursta; R. Klannera; I. Pintiliea; J. Zhanga;
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年度 2016
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1. Optimization of surface structures in n-in-p silicon sensors using TCAD simulation [J] . Y. Unno, Y. Ikegami, T. Kohriki, Nuclear Instruments & Methods in Physics Research . 2011,第Suppla1期

机译：使用TCAD仿真优化n-in-p硅传感器中的表面结构
2. Novel Silicon on Insulator Monolithic Active Pixel Structure With Improved Radiation Total Ionizing Dose Tolerance and Reduced Crosstalk Between Sensor and Electronics [J] . Hu Hai-fan, Wang Ying, Wei Jia-tong, Nuclear Science, IEEE Transactions on . 2015,第5期

机译：新型绝缘体上硅单片有源像素结构，具有改善的辐射总电离剂量容限，并减少了传感器与电子设备之间的串扰
3. Dose profiles and x-ray energy optimization for microbeam radiation therapy by high-dose, high resolution dosimetry using Sm-doped fluoroaluminate glass plates and Monte Carlo transport simulation [J] . Chicilo F., Hanson A. L., Geisler F. H., Physics in medicine and biology. . 2020,第7期

机译：用SM掺杂的氟铝酸盐玻璃板和蒙特卡罗运输模拟，用高剂量，高分辨率剂量测量剂的微观放射治疗剂量和X射线能量优化
4. Pixel sensor guard-ring geometry optimization by TCAD simulation [C] . Larbi Fayçal, Oussalah Slimane, Belkhelfa Nabila, 2014 26th International Conference on microelectronics . 2014

机译：通过TCAD仿真优化像素传感器保护环的几何形状
5. Studies of radiation effects on pixel sensors for the CMS experiment and design of radiation hard sensors for future upgrades of LHC upgrade. [D] . Roy, Amitava. 2005

机译：为CMS实验研究辐射对像素传感器的影响，并为LHC升级的未来升级设计辐射硬传感器。
6. Performance Optimization of FD-SOI Hall Sensors Via 3D TCAD Simulations [O] . Linjie Fan, Jinshun Bi, Kai Xi, 2020

机译：通过3D TCAD模拟FD-SOI霍尔传感器的性能优化
7. Optimization of the radiation hardness of silicon pixel sensors for high x-ray doses using TCAD simulations [O] . Schwandt, J., Fretwurst, E., Klanner, R., 2012

机译：使用TCAD模拟针对高X射线剂量优化硅像素传感器的辐射硬度

Optimization of the Radiation Hardness of Silicon Pixel Sensors for High X-ray Doses using TCAD Simulations

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